氮化铟 CAS#: 25617-98-5

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氮化铟

应用制备 专题

中文名称	氮化铟
中文同义词	氮化铟;氮化铟,99.8%(METALSBASIS);氮化铟(III);一氮化铟
英文名称	INDIUM NITRIDE
英文同义词	indiumnitride(inn);INDIUM NITRIDE;INDIUM(III) NITRIDE;INDIUM(III)  NITRIDE, 99.9%;Indium nitride, 99.8% (metals basis);Nitriloindium(III);IndiuM nitride (III);azanylidyneindigane
CAS号	25617-98-5
分子式	InN
分子量	128.82
EINECS号	247-130-6
相关类别	金属和陶瓷科学;陶瓷;Catalysis  and  Inorganic  Chemistry;Ceramics;Chemical  Synthesis;IndiumMetal  and  Ceramic  Science;Nitrides
Mol文件	25617-98-5.mol
结构式

氮化铟 性质

氮化铟 用途与合成方法

应用

氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势，尤其在在制备太赫兹器件，化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。

制备

步骤S1、提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜； 步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台； 步骤S3、提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空； 步骤S4、在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异，使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽； 步骤S5、在所述缓冲层上生长氮化铟，得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱，每一个凹槽中对应形成一个氮化铟柱。

安全信息

MSDS信息

氮化铟 上下游产品信息