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硅化钒
概述用途 专题
| 中文名称 | 硅化钒 |
|---|---|
| 中文同义词 | 硅化钒;二硅化钒 |
| 英文名称 | VANADIUM SILICIDE |
| 英文同义词 | VANADIUM DISILICIDE;VANADIUM SILICIDE;Vanadiumsilicidemesh;bis(λ2-silanylidene)vanadium;VANADIUM SILICIDE -325 MESH;VANADIUM SILICIDE, 99.5% (METALS BASIS);VANADIUM SILICIDE: 99.5%, -325 MESH;bis(λ2-silanylidene)vanadium |
| CAS号 | 12039-87-1 |
| 分子式 | Si2V |
| 分子量 | 107.11 |
| EINECS号 | 234-908-5 |
| 相关类别 | 硅化物粉体-硅化钒;硅化物 |
| Mol文件 | 12039-87-1.mol |
| 结构式 |  |
硅化钒 性质
| 熔点 | 1677 °C |
|---|---|
| 密度 | 4.420 |
| 溶解度 | 溶于HF |
| 形态 | 金属棱状 |
| 颜色 | 金属棱状晶体 |
| 电阻率 (resistivity) | 9.5 (ρ/μΩ.cm) |
| 水溶解性 | soluble HF [KIR83] |
| 晶体结构 | Hexagonal |
| EPA化学物质信息 | Vanadium silicide (VSi2) (12039-87-1) |
硅化钒 用途与合成方法
概述
硅化物是制备大规模集成电路的关键材料，用它可以作电路的欧姆接触、肖特基势垒和电极引线，超大规模集成电路结深很浅，如64 兆位的超大规模集成电路的PN 结深度浅到200nm ，在如此浅结表面用常规的方法制备电极引线，经常导致PN 结穿通，使电路失效，为此则需要制备薄层硅化物，其中硅化钒是一种最好的选择。
用途
硅化物是制备大规模集成电路的关键材料，用它可以作电路的欧姆接触、肖特基势垒和电极引线，超大规模集成电路结深很浅.硅化钒的主要用途如下：1.制备硅化钒薄膜。2.制备一种吸声陶瓷材料。
生产方法
在一直流等离子电弧炉中，加热V和Si的单质粉末。
安全信息
| 危险品标志 | Xi |
|---|---|
| 危险类别码 | 36/37 |
| 安全说明 | 26-36 |
| WGK Germany | 3 |
| TSCA | Yes |
| 危险等级 | 6.1 |
MSDS信息
| 提供商 | 语言 |
|---|---|
SigmaAldrich | 英文 |
ALFA | 中文 |
ALFA | 英文 |
硅化钒 上下游产品信息
上游原料
硅钒
粤公网安备44196802000105号
400-6226-992