砷化镓 CAS#: 1303-00-0

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砷化镓

理化性质半导体材料应用领域砷化镓单晶制备外延材料的制备用途 用途与合成方法 MSDS 砷化镓价格(试剂级) 上下游产品信息 专题

中文名称	砷化镓
中文同义词	砷化镓;砷化镓(99.9999%-CA);砷化镓, 99.999% (METALS BASIS);砷化镓GAAS;砷化镓4N-6N
英文名称	Gallium arsenide
英文同义词	GALLIUM ARSENIDE;Gallium arsenide (99.9999% Ga) PURATREM 25mm and down polycrystalline pieces;Gallium arsenide wafer;Galliumarsenidemmanddownpolycrystallinepieces;GALLIUM ARSENIDE, SINGLE CRYSTAL SUBSTR&;Gallium arsenide, pieces, 99.999% metals basis;Galliumarsenide(99.9999%-Ga)PURATREM;GALLIUM ARSENIDE: (99.9999% GA) PURATREMECES
CAS号	1303-00-0
分子式	AsGa
分子量	144.64
EINECS号	215-114-8
相关类别	有机硅氧聚合物;镓;催化和无机化学;inorganic compound;Electronic  Materials;Materials  Science;Micro/Nanoelectronics;Arsenides;Ceramics;Metal  and  Ceramic  Science;Inorganics
Mol文件	1303-00-0.mol
结构式

砷化镓 性质

砷化镓 用途与合成方法

理化性质

砷化镓，化学式GaAs。分子量144.64。深灰色立方晶体。比重5.4。熔点1，238℃。属Ⅲ、Ⅴ族化合物半导体，禁带宽度和电子迁移率比元素半导体锗及硅的大，制成的器件有较好的耐高温特性及频率特性; 发光特性好及光电转换率高。高于600℃时被空气氧化，无氧化剂存在时仅被酸缓慢地侵蚀。由镓和砷在高温及一定的砷蒸气压下合成。砷化镓可用于制作变容二极管、场效应管、发光二极管，以及太阳能电池、微波发生器和半导体激光器等。

砷化镓被誉为“半导体贵族”，是VCSEL、EEL等光电子产品的基板材料和衬底材料，也是雷达、电子计算机、人造卫星、宇宙飞船等高新产品中不可或缺的材料。
目前，全球砷化镓单晶市场规模体量偏小但增长速率较快。据统计，2013年全球砷化镓单晶市场规模仅1.98亿美元，至2018年，砷化镓单晶市场规模达4.59亿美元，年均复合增长率达到18.31%。

半导体材料

砷化镓是最重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，其晶格结构为闪锌矿型，晶格常数为5.65A，其解理面为{110}面，原子间的结合以共价键为主，伴有明显的离子键成分. 在

安全信息

MSDS信息

砷化镓 价格(试剂级)

砷化镓 上下游产品信息

上游原料

镓砷