磷化铟 CAS#: 22398-80-7

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磷化铟 基本信息

MSDS 用途与合成方法 磷化铟价格(试剂级) 上下游产品信息 专题

中文名称	磷化铟
中文同义词	磷化铟晶体INP;磷化铟(III);磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS);磷化铟, 99.999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块;磷化铟(III), 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟粉
英文名称	INDIUM PHOSPHIDE
英文同义词	InP;metel basisINDIUM PHOSPHIDE;INDIUM(III) PHOSPHIDE;Phosphinetriylindium(III);Phosphinidyneindium(III);Indium phosphide/ 99.999%;Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM;Indium phosphide wafer
CAS号	22398-80-7
分子式	InP
分子量	145.79
EINECS号	244-959-5
相关类别	有机硅氧聚合物;Cm磷化合物及磷酸盐;无机化工产品;无机盐;金属和陶瓷科学;陶瓷;高纯半导体材料;原料;inorganic compound;Catalysis  and  Inorganic  Chemistry;Ceramics;Chemical  Synthesis;IndiumMetal  and  Ceramic  Science;Phosphide
Mol文件	22398-80-7.mol
结构式

磷化铟 性质

磷化铟 用途与合成方法

化学性质 

磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/V?s。空穴迁移率：约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。

磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。

用途 

用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。

生产方法 

用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。

类别

有毒物品

可燃性危险特性

高热产生有毒磷氧化物烟雾

储运特性

库房通风低温干燥

灭火剂

干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水

职业标准

TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米

安全信息

MSDS信息

磷化铟 价格(试剂级)

磷化铟 上下游产品信息

上游原料

三氯化磷石英砂高纯电子铟