硒化铟 CAS#: 12056-07-4

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硒化铟

理化性质应用作用 用途与合成方法 MSDS 硒化铟价格(试剂级) 上下游产品信息 专题

中文名称	硒化铟
中文同义词	铟硒化物;硒化铟;硒化铟, 99.99% (METALS BASIS);硒化铟(III), 痕量分析;三硒化二铟;硒化铟(III), 99.99% (METALS BASIS);硒化铟(III);硒化铟IN2SE3
英文名称	INDIUM SELENIDE
英文同义词	INDIUM(III) SELENIDE;INDIUM SELENIDE;indiumselenide(in2se3);diindium triselenide;Indium(III) Selenide, Lump;Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis);INDIUM(III) SELENIDE, LUMPS;Indium selenide/ 99.999%
CAS号	12056-07-4
分子式	In2Se3
分子量	466.52
EINECS号	235-016-9
相关类别	金属和陶瓷科学;硫属化合物;高纯材料;原料;Chalcogenides;Materials  Science;Metal  and  Ceramic  Science
Mol文件	12056-07-4.mol
结构式

硒化铟 性质

硒化铟 用途与合成方法

理化性质

硒化铟是一种无机化合物，化学式为In2Se3。其为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质，是典型的二维层状半导体材料。通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。

应用

铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。

作用

高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率，AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用，而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。

安全信息

MSDS信息

硒化铟 价格(试剂级)

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