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新一代高精度极低温铯离子源FIB系统
2024-07-13 11:51IP属地 广东10询价
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zeroK |
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产品详情
新一代高精度低温铯离子源FIB系统
运用曾获诺贝尔奖的激光冷却技术，zeroKNanotech公司于2020年推出了基于低温铯离子源（Cs+LoTIS）的新一代高性能聚焦离子束系统——FIB:ZERO（Cs+LoTIS）和相应的离子源升配件——FIB：RETRO。zeroKNanotech公司采用的低温技术可以减少离子束中的随机运动，从而使FIB：ZERO中的离子束斑与传统离子源产生的束斑相比具有更高的亮度，更小的尺寸和更低的能量散失。同时，还可以产生更多的二次离子，获得更清晰的成像。一系列测试表明，新一代的FIB:ZERO（Cs+LoTIS）与传统的液态金属镓离子源(Ga+LMIS)FIB系统相比拥有更高的微纳加工精度，更清晰的成像对比度和景深。其加工速度与传统FIB基本一致，在低离子束流能量条件下有着更优异的表现。与氦（He+），氖（Ne+）离子源FIB相比，FIB:ZERO拥有高一个数量的加工速度和对样品更少的加工损伤。
应用领域◎ 纳米精细加工◎ 芯片线路修改和失效分析◎ 微纳机电器件制备◎ 材料微损伤磨削加工◎ 微损伤透射电镜制样
设备特点更高的亮度：低温Cs+离子使FIB:ZERO（Cs+ LoTIS）与传统FIB(Ga+ LMIS)相比具有更高的亮度，配合其全新的高对比度大景深成像系统，对样品的观察范围更大、更清晰。更小的离子束斑尺寸：FIB:ZERO（Cs+LoTIS）系统小分辨率可达2nm，提供了比传统的FIB(Ga+ LMIS)更高的加工精度。更小的能量散失：可达10nA以上的离子束电流，保证了低能量离子束条件下的优秀表现。
设备型号
FIB:ZERO聚焦离子束采用Cs+低温离子源（LoTIS）的聚焦离子束 FIB：ZERO系统以较低的束能量提供较小的聚焦点尺寸，并提供多种束电流。它是当今基于Ga+，He+或Ne+的FIB的下一代替代产品。
FIB:ZERO是采用新型高性能Cs+离子源的聚焦离子束系统。与 Ga+系统相比，即使在较低的光束能量下，它也可以提供更好的分辨率。与He+或Ne+系统相比，它的铣削速率高一个数量，并且减少了样品损伤。FIB:ZERO还可提供可更高的对比和更高的二次离子产率。
FIB:ZERO应用领域：◎ 高分辨率溅射◎ 二次电子或离子成像◎ 气体驱动的沉积和去除◎ 电路编辑 FIB:ZERO主要参数◎ Cs+离子束在10keV下具有2nm分辨率◎ 1pA至10+nA束电流◎ 2keV至18keV的束能量◎ 兼容大多数附件
动态SIMS与同类产品相比，采用Cs+低温离子源（LoTIS）的SIMS：ZERO聚焦电子束SIMS平台，可向同一个点提供100倍的电流，从而能够以更高的分辨率分析更大的样本。
SIMS：ZERO产品特点：◎ 具有纳米分辨率的Cs+离子束◎ 10+nA束电流（Cs+）◎ 功能齐全的FIB系统◎ 高分辨率的SIMS SIMS：ZERO技术优势：◎ 无需薄片即可获得类似EDX的光谱◎ 收集SIMS数据的速度提高100倍◎ 控制SIMS的纳米加工过程
测试数据
微纳加工对比
加工均匀性对比
左图为用FIB(Ga+LMIS)系统从硅基底上去除150nm厚金膜的结果，右侧为ZeroKnanotech的FIB:ZERO（Cs+LoTIS）在相同时间内去除金膜的结果。 加工精度对比
左侧图为Ga+离子源FIB加工结果,右侧图为ZeroKNanotechFIB:ZERO在相同时间内加工的结果。
加工速度对比
在10kV下Cs+离子束磨削速度比30kV下的Ga+离子束慢15%，比10kV下的Ne+离子束的磨削速度高90%。 加工损伤范围对比SRIM（TheStopandRangeofIonsinMatter）模拟离子束在加工硅的过程中对材料的影响范围，图从左至右分别为Ne+10KV,Ga+30KV,Cs+10KV。从图可以看出，Cs+离子源对被加工材料的损伤范围小。
成像效果对比
景深成像对比
左图为Ga+离子源FIB系统对120μm高的样品成像结果，右图为ZeroKNanotechFIB：ZERO对同一样品的成像结果。
成像对比度比较
左图为Ga+离子源FIB对GaAs/AlGaAs/GaAs层状结构的成像结果，右图为ZeroKNanotechFIB：ZERO对同一样品的成像结果。
成像清晰度比较
左图为Ga+离子源FIB系统对芯片横截面的成像结果，右图为ZeroKNanotechFIB：ZERO对同一截面的成像结果。
发表文章1.Steele,A.V.,A.Schwarzkopf,J.J.McClellandandB.Knuffman(2017)."High-brightnessCsfocusedionbeamfromacold-atomic-beamionsource."NanoFutures1:015005.2.Knuffman,B.,A.V.SteeleandJ.J.Mcclelland(2013)."Coldatomicbeamionsourceforfocusedionbeamapplications."JournalofAppliedPhysics114(4):191.
用户单位
TUKaiserslautern
