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德国蔡司FIB双束扫描电镜Crossbeam550
2024-07-13 11:51IP属地 广东00询价
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| 品牌 |
蔡司 |
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产品详情
蔡司Crossbeam系列轻松发现和设计先进材料使用蔡司Crossbeam使您在三维纳米分析流程中获益
将场发射电子显微镜的成像与分析能力与聚焦离子束的加工能力结合。
无论是刻蚀，成像或做三维分析，Crossbeam将提高聚焦离子束的应用速率。通过新的能谱模块实现大部分的三维成分分析工作。您可自主选择使用蔡司Crossbeam340的可变气压功能，或者使用Crossbeam550来满足您急需的表征应用。现在有更大的样品舱室供您选择。
Crossbeam的优势最大化SEM的探测能力低电压电子束分辨率提升高达30%。
无论是二维表面成像或三维重构，蔡司Crossbeam的扫描电子束均可提供优异的表现。借助于Tandemdecel在样品上施加电压，Gemini光学系统可以在1kV下获得高达1.4nm的分辨率，从而对任意样品均可获得优秀的图像。可通过一系列的探测器表征您的样品。通过独特的InlensEsB探测器，可获取纯的材料成分衬度信息。表征不导电样品可以不受荷电效应的影响。
提高您的FIB样品的测试加工效率通过FIB智能的刻蚀策略，其材料移除速率可提升高达40%。
在镓离子类型的FIB-SEM中采用了大离子束束流。使用高达100nA的离子束束流可显著节约时间，同时具有优秀的FIB束斑形状，从而获得高分辨率。得益于智能的FIB扫描策略，移除材料时高效且精准。可自动批量制取样品，例如截面，TEM样品薄片或任何使用者自定义的图形。
在FIB-SEM分析中体验优异的三维空间分辨率体验整合的三维能谱分析所带来的优势
可使用蔡司Atlas5软件扩展您的Crossbeam，它是一个针对快速而准确的三维断层成像的软硬件包。使用Atlas5中集成的三维分析模块可在三维断层成像的过程中进行能谱分析蔡司Crossbeam将Gemini电子束镜筒和定制的聚焦离子束镜筒结合起来，从而获得高精度与速度。因此FIB-SEM的断层成像可获得优异的三维空间分辨率和各向同性的三维体素尺寸。使用InlensEsB探测器，探测深度小于3nm，可获得表面敏感的、材料成分衬度图像
Crossbeam的特点mportant;">mportant;">
Crossbeam340Crossbeam550mportant;">扫描电子束系统
GeminiIVP镜筒
- GeminiII镜筒可选Tandemdecelmportant;">样品仓尺寸和接口标准样品仓有18个扩展接口
标准样品仓有18个扩展接口或者加大样品仓有22个扩展接口
mportant;">样品台
X/Y方向行程均为100mmX/Y方向行程：标准样品仓100mm加大样品仓153mm mportant;">荷电控制
荷电中和电子枪局域电荷中和器可变气压荷电中和电子枪局域电荷中和器 mportant;">可选选项InlensDuo探测器可依次获取SE/EsB图像
VPSE探测器InlensSE和InlensEsB可同时获取SE和ESB成像大尺寸预真空室可传输8英寸晶元
注意加大样品仓可同时安装3支压缩空气驱动的附件。例如STEM,4分割背散射探测器和局域电荷中和器
mportant;">特点由于采用了可变气压模式，从而具有更大范围的样品兼容性，，适用于各类原位实验，可依次获取SE/EsB图像
高效的分析和成像，在各种条件下保持高分辨特性，同时获取InlensSE和InlensESB图像
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*SE二次电子，EsB能量选择背散射电子
Crossbeam的应用
氧化铝球在Crossbeam550上使用Tandemdecel拍摄 使用100nA束流进行截面切割蔡司Crossbeam系列的FIB镜筒具备独特的100nA束流。该沟槽在硅片上刻蚀，体积为100×30×25μm3，刻蚀时间10分钟，使用100nA的FIB束流。注意这个结构的精度。
使用100nA束流刻蚀的沟槽 在硅材料上不同切割策略的比较使用常规切割（左）材料去除需要10分54秒，而使用Fastmill，只需7分21秒（右）便可移除等量材料。全新开发的扫描策略-Fastmill，通过优化角度相关的溅射效应来提高切割速度。与传统的线切割相比，Fastmill的切割速率可增加多达40%。
Crossbeam550切割策略的比较 批量精确样品制备银镍铜多层结构的TEM薄片，可提取进行减薄，使用自动样品制备功能。
TEM薄片Ag-Ni-Cu多层结构 批量制备使用自动样品制备功能制备TEM薄片
批量制备35个TEM薄片 STEM成像并进行高分辨率EDS分析在X2CrNi18-10钢热影响区晶界处的碳化铬：STEM明场像（左图），EDS铬元素分布图（右图）。
钢的STEM图像和
EDS的Cr元素分布图
