氢氟酸气相蚀刻系统
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安全酸处理
可重复利用HF
晶圆夹紧机构
适于各种尺寸的晶圆
无需安装（装置在湿法酸工作台中使用）
上部向下晶圆蚀刻
背面保护
低运行成本
无粘着MEMS释放
结构减薄
SOI基底上的结构免切割释放
蚀刻速率从0到10μm/hour可调（无粘着）
单面二氧化硅蚀刻（蚀刻过程背面保护）
6英寸产品型号：VPE150
8英寸产品型号：VPE200
蚀刻速率：2-30μm/hour
加热温度：35-60℃
反应室温度控制
在反应室内，二氧化硅的腐蚀速率随液体HF的温度略有变化。氢氟酸的温度取决于洁净室的环境温度。此外，在长时间的蚀刻过程中，HF会被加热，导致晶圆之间的蚀刻速率增加，直到系统稳定下来。为了稳定腐蚀速率，我们在容器中开发了一个温度可控的HF反应室。高频的温度可以通过附加的控制器来调节。
