基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。
系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。
**可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)
**涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空
**独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空
**等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波
**配套气体环用于前驱体和气体
**样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/PulseDC偏压
**MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀
**基于PC的全自动控制，菜单驱动
**Labview可视化用户交互界面
**EMO保护和安全联锁
**远程微波等离子源，升级为MPECVD
**基片脉冲直流偏压
**低频偏压用于薄膜应力控制
**旋转样品台用于涂覆3D元件
**单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片
**大尺寸基片镀膜或批处理能力
**样片手动或自动翻转，用于双面镀膜
**前级泵升级为干泵
**带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物
**带毒气监控气体柜用于有毒气体
**终点监测
**各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持
**硅的化合物
**光子结构
**DLC类金刚石薄膜
**CNT碳纳米管—储存器件
**SiC薄膜
**表面钝化层—太阳能电池
**石墨烯—纳米级电子元件
**其它类型薄膜
