增特科技代理NEC硅频低噪声功率管N型外延层三管2S226-T1

增特科技代理NEC现货供应硅频低噪声功率N型外延层三管2S226-T1

封装：SOT23-in

少包装：3000Pcs/Reel

库存数量：60K（深圳现货，大批量订货一周）

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2S226描述：

　　2S226硅频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于频低噪声功率管主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。北京鼎霖电子科技有限公司在该公司已有的微波相控阵雷达功率放大器件生产技术的基础上，为民用市场研制开发了系列高频微波三管，包括2SC3356,2SC3357，BFQ591,2S226，BFR540，BFR520等，其性能指标同NEC、philips同类产品类同。

2S226参数：
　　类别：NPN-硅通用高频低噪声宽带NPN晶体管
　　集电-发射电压VCEO：12V
　　集电-基电压VCBO:20V
　　发射-基电压VEBO:3.0V
　　集电直流电流IC:100mA
　　总耗散功率(TA=25℃)Ptot:200mW
　　工作结温Tj:150℃
　　贮存温度Tstg:-65~150℃
　　封装形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59
　　功率特性：率
　　性：NPN型
　　结构：扩散型
　　材料：硅(Si)
　　封装材料：塑料封装
　　电性能参数（TA=25℃）：
　　击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V
　　直流放大系数hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA
　　集电-基截止电流ICBO:100nA(值)
　　发射-基截止电流IEBO:100nA(值)
　　特征频率fT:5.0GHz@ VCE=3V,IC=7mA
　　集电允许电流IC：0.1（A）
　　集电允许耗散功率PT：0.2（W）
　　功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　噪声系数NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz
　　反馈电容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。