肖特基二管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，D是肖特基势垒二管（SchottkyBarrierDiode,缩写成D）的简称。D不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，D也称为金属－半导体（接触）二管或表面势垒二管，它是一种热载流子二管。
是近年来问世的低功耗、大电流、速半导体器件。其反向恢复时间短（可以小到几纳秒），正向导通压降0.4V左右，而整流电流却可几千毫安。这些优良特性是快恢复二管所拟的。中、小功率肖特基整流二管大多采用封装形式。
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