磷化铟、22398-80-7 CAS查询、磷化铟物化性质

 中文名称： 磷化铟  

 中文别名： 磷化铟晶体INP;磷化铟(III);磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS);磷化铟, 99.999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块;磷化铟(III), 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟粉  

 英文名称： Indium phosphide  

 英文别名： InP;metel basisINDIUM PHOSPHIDE;INDIUM(III) PHOSPHIDE;Phosphinetriylindium(III);Phosphinidyneindium(III);Indium phosphide/ 99.999%;Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM;Indium phosphide wafer  

 CAS号： 22398-80-7  

 EINECS号： 244-959-5  

 分子式： InP  

 分子量： 145.79  

 InChI： InChI=1/In.P  

 分子结构：  

 密度： 4,787 g/cm³  

 熔点： -1070°C  

 沸点： -  

 闪点： -  

 折射率： -  

 蒸汽压： -  

 物化性质： 磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/V?s。空穴迁移率：约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。

磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一，是继硅（Si）、砷化镓（GaAs）之后的新一代微电子、光电子功能材料，其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点，被广泛应用于微波及光电器件领域。  

 产品用途： 用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。  

 危险品标志：  

 风险术语： -  

 安全术语： 避免接触皮肤、避免接触眼睛、如果发生事故或感到不适，请就医立即提出建议（如有可能，展示标签）、避免接触-使用前获得特殊说明