25617-98-5
氮化铟(III)(Indium(III) nitride)
CAS: 25617-98-5
化学式: InN
| 中文名 | 氮化铟(III) |
| 英文名 | Indium(III) nitride |
| 别名 | 氮化铟(III) |
| 英文别名 | Indium(III) nitride |
| CAS | 25617-98-5 |
| EINECS | 247-130-6 |
| 化学式 | InN |
| 分子量 | 128.82 |
| 密度 | 6.88 g/cm3 |
| 熔点 | 1900°C |
| 存储条件 | 室温 |
| MDL号 | MFCD00016152 |
25617-98-5 - 简介
氮化铟(III)是一种具有半导体性质的化合物。以下是关于氮化铟(III)的一些性质,用途,制法和安全信息:性质:
- 氮化铟(III)是一种黑色固体,在室温下呈现金属光泽。
- 这种化合物具有半导体性质,可用于光电器件、激光器件和光电探测器等领域。
用途:
- 氮化铟(III)常被用作半导体材料,特别是在高频电子器件和光电子器件中应用广泛。
- 它还可能在太阳能电池和光电探测器等领域发挥作用。
制法:
- 氮化铟(III)通常是通过化学气相沉积(CVD)或分子束外延(MBE)等方法制备的。
安全信息:最后更新:2024-04-10 22:29:15


粤公网安备44196802000105号