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STD2000
仪器描述

发布时间:2023年07月

碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统

 

陕西天士立科技有限公司/STD2000/碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统可以测试Si,SiC,GaN & IGBTMosfetDiodeBJTSCROC/光耦......等很多电子元器件的静态直流参数和IV曲线(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、内阻Rds(on))以及IV特性曲线等

 

高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A)栅极电压40V,栅极电流100mA分辨率最高至1.5uV / 1.5pA,精度最高可至0.1%

 

04  主机图  单机银色  扩展版  浅水印(1).png


主图下.png


陕西天士立科技有限公司

研发生产 半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验  各类仪器设备

 

 

第一部分:规格&环境

1.1产品信息

产品型号:STD2000

产品名称:碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪

1.2物理规格

主机尺寸:深660*430*210(mm)

主机重量:<35kg

1.3电气环境

主机功耗:<300W

海拔高度:海拔不超过 4000m

环境要求:-20℃~60℃(储存)、5℃~50℃(工作);

相对湿度: 20%RH75%RH (无凝露,湿球温度计温度 45℃以下)

大气压力:86Kpa106Kpa

防护条件:无较大灰尘,腐蚀或爆炸性气体,导电粉尘等;

电网要求:AC220V、±10%50Hz±1Hz

工作时间:连续;

 

陕西天士立科技有限公司

研发生产 半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验  各类仪器设备

 

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第二部分:应用场景和产品特点

一、应用场景

1测试分析(功率器件研发设计阶段的初始测试主要功能为曲线追踪仪

2失效分析(对失效器件进行测试分析,查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案)

3选型配对(在器件焊接至电路板之前进行全部测试,将测试数据比较一致的器件进行分类配对)

4来料检验(研究所及电子厂的质量部(IQC)对入厂器件进行抽检/全检,把控器件的良品率)

5量产测试(可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备,实现规模化、自动化测试)

6替代进口STD2000碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统可替代同级别进口产品)

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二、产品特点

1程控高压源10~1400V,提供2000V选配;

2、程控高流源1uA~100A,提供40A,200A,500A选配;

3驱动电压10mV~40V

4、控制极电流10uA~100mA

516ADC1M/S采样速率;

6自动识别器件极性 NPN/PNP

7、曲线追踪仪,四线开尔文连接保证加载测量的准确

8通过 RS232 接口连接校准数字表,对系统进行校验

9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器(如TO220SOP-8DIPSOT-23等等)

10碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统能测很多电子元器件如二极管、三极管、MOSFETIGBT、可控硅、光耦、继电器等等);

11碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统能实现曲线追踪仪(如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)

12结电容参数也可以测试,诸如CkaCissCrssCoss

13脉冲电流自动加热功能,方便高温测试,无需外挂升温装置;

14Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin,连接分选机最高效率1h/9000个;

15、碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用;

 

陕西天士立科技有限公司

研发生产 半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验  各类仪器设备

第三部分:产品介绍

3.1、产品介绍

STD2000碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统是由我公司技术团队结合碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统的多年经验,以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后,完全自主开发设计的全新一代碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。

 

碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统脉冲信号源输出方面,高压源标配1400V(选配2KV),高流源标配100A(选配40A,200A,500A)栅极电压40V,栅极电流100mA,分辨率最高至1uV / 1.5pA,精度最高可至0.1%。程控软件基于Lab VIEW平台编写,填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座,自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降,保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。

 

产品为桌面放置的台式机结构,由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器,还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选(16Bin)连接分选机和机械手建立工作站,实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。

 

碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本方便快捷的完成曲线追踪仪。

3.2、人机界面(STD2000碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统)

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陕西天士立科技有限公司

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第四部分:功能配置

4.1配置选项

STD2000碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统的功能配置如下


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4.2适配器选型

STD2000碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统的适配器有如下

 

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4.3测试种类及参数

STD2000碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统的测试种类和参数如下

(1)二极管类:二极管  Diode

KelvinVrrmIrrmVf,△Vf,△VrrmCkaTr(选配);

(2)二极管类:稳压二极管  ZDZener Diode

KelvinVzlrVf,△Vf,△VzRozlzmCka

(3)二极管类:稳压二极管  ZDZener Diode

KelvinVzlrVf、△Vf、△VzRozlzmCka

(4)二极管类:三端肖特基二极管SBDSchottkyBarrierDiode

Kelvin Type_ident Pin_test VrrmIrrmVf、△VfV_VrrmI_Irrm、△VrrmCkaTr(选配);

(5)二极管类:瞬态二极管  TVS

Kelvin Vrrm IrrmVf、△Vf、△Vrrm Cka

(6)二极管类:整流桥堆

Kelvin VrrmIrrmIr_acVf、△Vf、△Vrrm Cka

(7)二极管类:三相整流桥堆

Kelvin Vrrm IrrmIr_acVf、△Vf、△VrrmCka

(8)三极管类:三极管

Kelvin Type_identPin_chk V(br)cbo V(br)ceo V(br)ebo Icbolceo

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