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TOF-SIMS

详细介绍

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※ 广泛应用于导体、半导体和绝缘体等领域。 

※ 用于纳米级表面成分定性或定量分析,实现二次离子图像 与二次电子图像分析。配置离子刻蚀枪,可进行材料深度 分布分析。 

※ 并行探测所有离子,包括有机和无机分析碎片。 

※ 宽范围的质量探测范围(实际测量中>1000m/z原子 量)。 

※ 极高的空间分辨率。 ※ 超高灵敏度1E+9 atoms/cm 。 

※ 导体、半导体和绝缘体表面均可测试。

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