东莞供应稳压二管晶体3V 3.9V 4.7V 1/2W DO-35

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稳压二管(又叫齐纳二管)是一种硅材料制成的面接触型晶体二管，简称稳压管。此二管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。稳压管在反向击穿时，在的电流范围内（或者说在功率损耗范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，因而广泛应用于稳压电源与限幅电路之中。稳压二管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用.其伏安特性见图1,稳压二管可以串联起来以便在较高的电压上使用,通过串联就可获得更多的稳定电压。

稳压管的主要参数：

稳定电压Vz

　　稳定电压就是稳压二管在正常工作时，管子两端的电压值。这个数值随工作电流和温度的不同略有改

变，即使同一型号的稳压二管，稳定电压值也有的分散性，例如2CW14硅稳压二管的稳定电压为6～7.5V。

耗散功率PZ

反向电流通过稳压二管的PN结时，要产生的功率损耗，PN结的温度也将升高。根据允许的PN结工作温度决定出管子的耗散功率。通常小功率管约为几百毫瓦至几瓦。耗散功率PZM：是稳压管的功率损耗取决于PN结的面积和散热等条件。反向工作时，PN结的功率损耗为：PZ=VZ*IZ，由PZM和VZ可以决定IZmax。

稳定电流IZ

　　小稳定电流IZmin、大稳定电流IZmax稳定电流：工作电压等于稳定电压时的反向电流；小稳定电流：稳压二管工作于稳定电压时所需的小反向电流；稳定电流：稳压二管允许通过的反向电流。

动态电阻rZ

　　其概念与一般二管的动态电阻相同，只不过稳压二管的动态电阻是从它的反向特性上求取的。rZ愈小，反映稳压管的击穿特性愈陡。 rz=△VZ/△IZ

稳定电压温度系数

　　温度的变化将使VZ改变，在稳压管中，当|VZ|>7V时，VZ具有正温度系数，反向击穿是雪崩击穿。 当|VZ|<4V时，VZ具有负温度系数，反向击穿是齐纳击穿。