高电流互补硅功率晶体管MJ11032G MJ11033G 原装 十

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MJ11032G  产品描述

高电流互补硅功率晶体管

MJ11028 / D转换
MJ11028，MJ11030，
MJ11032（NPN型）
MJ11029，MJ11033（NPN）
大电流
其他芯片
功率晶体管
使用高电流互补硅功率晶体管
作为互补的通用放大器的输出设备
应用。
特点
•高直流电流增益 - HFE = 1000（小值）的IC = 25 ADC
HFE = 400（分钟）@ IC = 50 ADC
•曲线至100 A（脉冲）
•额定IC二管保护
•内置的基 - 发射分流电阻的单片式结构
•结温到+200摄氏度
•无铅封装可供*
额定值（TJ = 25°C除非另有说明）
评级号价值单位
集电 - 发射电压MJ11028/29
MJ11030
MJ11032/33
热阻，结到外壳的R吗？赛马0.58℃/ W
额定值是那些价值，出该设备损坏可能会发生。
适用于该设备的额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），同时无效。如果这些限制
标，设备功能操作不暗示，损害可能发生
性可能受到影响。
1。脉冲测试：脉冲宽度为5秒，占空比≤10％。
*我们的无铅战略和焊接细节的附加信息，请
安森美半导体焊接和安装技术参考手册

NPN型
MJ11028
MJ11030
MJ11032
电气特性（TC = 25？C除非另有说明）
特性号小值值单位
断特性
集电 - 发射击穿电压（注1）MJ11028，MJ11029
（集成电路= 1 00 mAdc，IB = 0）MJ11030
MJ11032，MJ11033
集电 - 发射漏电流
（Vce = 60 VDC的RBE = 1 K？）MJ11028，MJ11029
（Vce = 90 VDC的RBE = 1 K？）MJ11030
（Vce = 120 VDC的RBE = 1 K？）MJ11032，MJ11033
（Vce = 60 VDC的RBE = 1 K，TC = 150）MJ11028，MJ11029
（Vce = 120 VDC的RBE = 1 K，TC = 150）MJ11032，MJ11033
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