3N60C FQPF3N60场效应管 场效应管 MOSFET N TO-220F

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国产货（以下参数只供参考）

• 晶体管性:ñ频道
• 电流, Id 连续:2A
• 电压, Vds :600V
• 在电阻RDS（上）:3.6ohm
• 电压 @ Rds测量:10V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:5V
• 功耗, Pd:34W
• 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
• 封装类型:TO-220F
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
• 功率, Pd:34W
• 功耗:34W
• 封装类型:TO-220F
• 晶体管数:1
• 漏电流, Id 值:2A
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:600V
• 电压, Vgs :30V
• 电流, Idm 脉冲:8A
• 表面安装器件:通孔安装